热电式冷却装置、其所用半导体的制备方法及热电式冷冻机专利登记公告

专利名称：热电式冷却装置、其所用半导体的制备方法及热电式冷冻机

摘要： 一种热电式冷却元件组５，由以一定间隔排列的吸热侧电极８，形成在该电极之上的Ｐ型半导体层10和n型半导体层11,以及将Ｐ型半导体层１０和n型半导体层１１连接起来的散热侧电极１２构成。多个Ｐ型半导体层１０和n型半导体层11平行排列并在电学上串联(图6)。在热电式冷却元件组５与吸热器４之间以及在热电式冷却元件组５与散热器６之间，分别形成了高热导率的硅脂层１７、１７。

专利类型：发明专利

专利号：CN95119063.6

专利申请（专利权）人：莎莫波尼克株式会社

专利发明（设计）人：渡边日出男; 酒井一成; 久野文雄; 大泽敦; 手∴弘房

主权项：1．适用于热电式冷冻机用热电式冷却装置的半导体的制备方法，所述热电式冷冻机用热电式冷却装置包括以下部件：多个并列设置的P型半导体层（10）和n型半导体层（11）；具有吸热侧电极（8）的第一内导热体（Kcp；17），所述电极置于该P型和n型半导体层（10，11）的吸热侧一端的外侧；置于第一内导热体（KcP；17）外侧的第一外导热体（Kc；4）；具有散热侧电极（12）的第二内导热体（KHP；17），所述电极置于该P型和n型半导体层（10，11）的散热侧一端的外侧；及置于第二内导热体（KHP；17）外侧的第二外导热体（KH；6），所述P型半导体层（10）和所述n型半导体层（11）通过所述的吸热侧电极（8）及散热侧电极（12）在电学上串联；其中，所述的P型半导体层（10）和n型半导体层（11）具有至少0．08cm的平均厚度t，而所述P型半导体层（10）和n型半导体层（11）的平均品质因数（Z）控制在至少2．7X10一3（／K）；所述第一内导热体（KCP；17）的热导（KcP)控制在对每cm2的P型和n型半导体层的横截面面积为8一20W／℃cm2范围；所述第一外导热体（Kc；4）的热导（KC)控制在对每cm2的P型和n型半导体层横截面面积为3一10W／℃cm2范围；所述的第二内导热体（KHP；17）的热导（KHP）控制在对每cm2的P型和n型半导体层横截面面积为8一20W／℃cm2；所述的第二外导热体（KH；6）的热导（KH）控制在对每cm2的P型和n型半导体层横截面面积为3一10W／℃cm2，而以吸收热量JQ与输入电能P之比（JQ／P）定义的有效系数（COP）至少为0．6，制备方法的特征在于：上通以预定电压，以在该粒状陶瓷混合物的颗粒间产生等离子体放电，从而激活微粒表面，并从微粒表面除去淀积的氧化物和吸附的气体。

专利地区：日本