半导体发光器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：半导体发光器件及其制造方法

摘要： 在包括有源层的多层结构上设置由电流阻挡层和电流通过层组成的电流通路调节层。在电流通路调节层上与电流阻挡层对着设置n－型电极。p-型GaAs衬底具有形成多个凹槽的槽形区，生长在衬底上的含有Zn和Se作为掺杂剂的电流通路调节层的导电性依赖于衬底表面的凹槽每个斜面的晶向和平坦区的晶向。

专利类型：发明专利

专利号：CN96105741.6

专利申请（专利权）人：夏普株式会社

专利发明（设计）人：细羽弘之

主权项：1．一种半导体发光器件，包括一块具有顶表面和底表面的第一导电类型的半导体衬底；一包括电流阻挡区和电流通过区包含第一导电类型第一掺杂剂和第二导电类型第二掺杂剂的电流通路调节层；一形成于半导体衬底顶表面和电流通路调节层之同的多层结构，该多层结构包括一层用来发光的有源层和夹着该有源层的一对覆盖层；一形成于半导体衬底底表面的第一电极：以及一形成于电流通路调节层的电流阻挡区上的第二电极，其中半导体衬底的顶表面具有一平坦区和一至少形成有一凹槽的槽形区，电流通路调节层的导电性随着凹槽斜面的晶向和半导体衬底顶表面平坦区的晶向而局部变化，和在槽形区上面的电流阻挡区具有第一导电性，而平坦区上面的电流通过区具有第二导电性。

专利地区：日本