形成半导体器件中金属间绝缘层的方法专利登记公告

专利名称：形成半导体器件中金属间绝缘层的方法

摘要： 披露了一种形成半导体器件中的金属间绝缘层的方法,它不仅具有优良的附着性和均匀的台阶覆#O&盖,而且能防止由于湿气的透入而形成空隙。按照这种方法,首先在半导体衬底上形成金属互连。然后,通过使预定量的四乙基原硅酸盐(TEOS)气体和预定浓度的O₃气在ＣＶＤ炉中发生反应形成第一绝缘层，使其厚度足以填满金属互连之间的间隔。接着，使用同一炉但只改变ＴＥＯＳ的浓度下，在第一绝缘层上形成预定厚度的第二绝缘层。

专利类型：发明专利

专利号：CN96104047.5

专利申请（专利权）人：现代电子产业株式会社

专利发明（设计）人：赵景洙

主权项：1、一种形成半导体器件中金属间绝缘层的方法，包括下例步骤：在半导体衬底上形成金属互连；在化学蒸汽淀积炉中使预定量的四乙基原硅酸盐气体和预定量的O3气发生反应形成第一绝缘层到其厚度能够完全地充满金属互连之间的间隔；以及在第一绝缘层上，在同一炉中形成预定厚度的第二绝缘层，其形成条件和形成第一绝缘层时相比仅改变TEOS的浓度。

专利地区：韩国