制造半导体器件的方法专利登记公告

专利名称：制造半导体器件的方法

摘要： 在利用硅半导体制造半导体器件的工艺中，在含氢的气氛中进行热处理。此时，通过氢和加热的镍材料接触，产生激活氢。例如，为了产生激活氢，利用加热器加热用镍材料覆盖其内表面的管道和把氢输入到该管道中，这样则利用激活氢，对在耐热低的树脂衬底上形成的半导体器件进行退火，退火温度保持在１５０℃±２０℃，时间为预定的时间。

专利类型：发明专利

专利号：CN96107222.9

专利申请（专利权）人：株式会社半导体能源研究所

专利发明（设计）人：山崎舜平

主权项：1．一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：在处理室的衬底上形成含硅的半导体膜；在半导体膜上形成绝缘膜；在绝缘膜上形成包含铝的布线；在处理室中产生氢激活物质；利用氢激活物质进行退火。

专利地区：日本