形成半导体器件金属互连的方法专利登记公告

专利名称：形成半导体器件金属互连的方法

摘要： 本发明公开一种能提高成品率和可靠性的半导体器件的金属互连的方法，包括于先形成有源区再形成绝缘层的半导体衬底的预定部位处形成接触孔；用化学汽相淀积法在接触孔和绝缘层上依次淀积具有预定厚度的钛和氮化钛层；在Ｎ₂气氛中进行热退火。最后，在扩散阻挡层上淀积低电阻率的互连金属，并在接触孔和绝缘层上形成各层的图形，由此形成有源区间的金属互连。另外，本发明还可包括在对所形成的各层构图之前淀积弧形薄膜的步骤。

专利类型：发明专利

专利号：CN96104048.3

专利申请（专利权）人：现代电子产业株式会社

专利发明（设计）人：赵景洙

主权项：1、一种形成半导体器件金属互连的方法，包括以下步骤：在形成了绝缘层的半导体衬底的预定部位处，形成接触孔；在所说绝缘层和所说接触孔上用化学汽相淀积法依次淀积钛层和氮化钛层，这两层都具备预先确定的厚度；在氮气氛中热退火所说衬底，其中所说氮化钛层发生相转换，形成多层氮化钛层，每层含氮量各不同，并且相态也各不相同；在氮化钛层上淀积低电阻率的金属层；和对在接触孔和绝缘层上形成的各层进行构图。

专利地区：韩国