一种半导体器件及其制造工艺专利登记公告

专利名称：一种半导体器件及其制造工艺

摘要： 一个MIS型场效应晶体管具有用硅化钛层(26a)覆盖的源/漏区(25e),硅化钛层与埋入硅基片(20)的被埋入置的绝缘结构24相接,接触孔(27a)在氧化硅的中间绝经级层27中形成,中间绝缘层(27)暴露一部分上氮化硅层(23)和一部分硅化钛层(26a)于该接触孔(27a),当中间绝缘层(27)被有选择地腐蚀以形成接触孔(27a),上氮气硅层(23)就作为阻蚀层,接触孔(27a)绝不会到达埋置绝缘结构(24)下面的硅基片(20)。

专利类型：发明专利

专利号：CN96105708.4

专利申请（专利权）人：日本电气株式会社

专利发明（设计）人：松本明

主权项：1．一种半导体组件包括：一个导电区（25e／26a），它提供一个接触表面；一个绝缘区（24），它与所述的导电区相邻；和一个接触结构（28／29／30）它和上述导电区电连接，其特征在于，所述绝缘区（24）具有一个和上述接触表面共面的上表面，并且所述接触结构（28／29／30）被安排在上述导电区（25e／26a）的一部和上述绝缘区（24）的一部分上。

专利地区：日本