阈值电压稳定的场效应晶体管及其制造方法专利登记公告

专利名称：阈值电压稳定的场效应晶体管及其制造方法

摘要： 低电压场效应晶体管结构（２０）其阈值电压容许源注入区(41)的位置发生改变的工艺变化。源区(41)附近形成第一和第二晕圈区(33、36),在后续热处理之后在邻近源区(41)的沟道区(23)形成导电类型与源区(41)相反的恒定掺杂分布轮廓。实施例只在源区(41)附近形成得到单向器件也可在源区(41)和漏区(40)附近形成掺杂分布轮廓以得到双向器件。另一实施例在源区(41)形成第二注入区以减小结漏和电容。

专利类型：发明专利

专利号：CN96108193.7

专利申请（专利权）人：摩托罗拉公司

专利发明（设计）人：韦达·伊尔德勒姆; 米切尔·Ｈ·卡内施洛; 迪安·道

主权项：1．一种具有稳定的阈值电压的场效应晶体管（20），其特征是：一个第一导电类型半导体材料并带有一个表面（22）的衬底区（21）；一个形成在衬底区（21）中并邻接于沟道区（39）的第二导电类型的源区（29）；一个排列在衬底区（21）中的第一注入区（33），使第一注入区（33）在表面（22）处与源区（29）连接，且在衬底区（21）的表面（22）之下伸入沟道区（39），此第一注入区（33）具有第一导电类型的第一浓度；以及一个排列在源区（29）和第一注入区（33）之间的、在表面（22）处伸过第一注入区（33）且进入沟道区（39）的第二注入区（36），其中的第一注入区（33）和第二注入区（36）在与源区（29）的交点处形成一个恒定掺杂分布轮廓区，第二注入区（36）具有第一导电类型的第二浓度。

专利地区：美国