金属氧化物半导体场效应管的参数萃取系统及方法专利登记公告

专利名称：金属氧化物半导体场效应管的参数萃取系统及方法

摘要：本发明提供一种金属氧化物半导体场效应管的参数萃取系统，该系统包括：一计算机主机、至少一显示装置及输入装置。显示装置提供一用户使用界面，用户通过输入装置输入的数据可通过显示屏幕显示。计算机主机包括多个软件功能模块，其通过接收输入的厂商提供的数据，自动进行MOS管元件参数的萃取，同时计算出寄生电阻的温度系数以提高仿真的准确度。计算机主机包括：一极性选择模块、一数值接收模块、一数目统计模块、一参数萃取模块及一电路模型生成模块。本发明还揭露一种金属氧化物半导体场效应管的参数萃取方法。通过本发明，其可自动进行MOS管元件参数的萃取，同时计算出寄生电阻的温度系数以提高仿真的准确度。

专利类型：发明专利

专利号：CN200410091943.6

专利申请（专利权）人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司

专利发明（设计）人：陈俊仁

主权项：1.一种金属氧化物半导体场效应管的参数萃取系统，其可自动萃取金属氧化物半导体场效应管的参数，并计算出其寄生电阻的温度系数，该系统包括一计算机主机、至少一显示装置及输入装置，其特征在于，该计算机主机包括：一极性选择模块，用于选择金属氧化物半导体场效应管的极性；一数值接收模块，用于接收用户输入的数值；一数目统计模块，用于统计输入的栅极-源极电压及漏极电流变量对应数据的个数，并判断其数目是否相同，还可用于统计输入的漏极-源极导通电阻及接面温度变量对应数据的个数，并判断其数目是否相同；一参数萃取模块，用于根据以上

专利地区：广东