一种双极型多晶发射极超高频纵向晶体管的制造方法专利登记公告

专利名称：一种双极型多晶发射极超高频纵向晶体管的制造方法

摘要：一种双极型多晶发射极超高频纵向晶体管的制造方法：在衬底上形成硅外延层；在外延层上形成局部的厚氧化层作为器件之间的隔离；在非隔离区域注入P型杂质形成基区；在基区选定区域中再注入大剂量P型杂质形成非本征基区；在基区上面淀积一层SI₃N₄；去除位于非本征基区和发射区所在区域上面的SI₃N₄；湿法腐蚀去除发射区上的氧化层；淀积一层掺入N型杂质的多晶硅；杂质推进后就形成了发射区和基区；推进完成后，去除位于基区的氧化层；溅射并形成ALSI电极。本发明采用多晶硅接触替代了传统的AL-SI接触，缩小了发射区的面积，减小了晶体管的横向尺寸，大大提高了高频性能。本发明还采用自动对准工艺，简化了制造方法，使晶体管可以在生产条件较差的情况下生产出尺寸更小的晶体管。

专利类型：发明专利

专利号：CN200410099043.6

专利申请（专利权）人：上海贝岭股份有限公司

专利发明（设计）人：张健亮

主权项：1.一种双极型多晶发射极超高频纵向晶体管的制造方法，包括下列步骤：选择一种高浓度掺杂的硅衬底；在该衬底上形成硅外延层；在外延层上形成局部的厚氧化层作为器件之间的隔离；在非隔离区域注入P型杂质形成基区；在基区选定区域中再注入大剂量P型杂质形成非本征基区；在基区上面淀积一层SI3N4；去除位于非本征基区和后来作为发射区所在区域上面的SI3N4；湿法腐蚀去除位于发射区上的氧化层，形成接触孔；清洗接触孔区域，淀积一层掺入N型杂质的多晶硅；杂质推进形成发射区和基区；推进完成后，去除位于基区的氧化层；溅射并形成ALS

专利地区：上海