一种双极型纵向平面式晶体管的制造方法专利登记公告

专利名称：一种双极型纵向平面式晶体管的制造方法

摘要：一种双极型纵向平面式晶体管的制造方法：选择一种半导体衬底；在半导体衬底中形成非本征集电区；在半导体衬底中形成隔离晶体管的下隔离层的准备层；在非本征集电区上形成本征集电区；在本征集电区中形成隔离晶体管的下隔离层；在本征集电区中形成联接非本征集电区的插塞；在本征集电区中形成隔离晶体管的上隔离层；在本征集电区上形成本征基区；在本征基区上形成非本征基区；在本征基区上形成发射区，并且该发射区被本征基区所包围；在形成发射区的同时，在插塞上形成集电极区。本发明一是利用双层隔离，使得晶体管的面积较小；二是本征基区方块电阻较小；三是集电极饱和压降低；四是用节省的方法，得到平坦的引线孔前为保护晶体管表面所需的电介质膜层。

专利类型：发明专利

专利号：CN200410093241.1

专利申请（专利权）人：上海贝岭股份有限公司

专利发明（设计）人：张复才

主权项：1.一种双极型纵向平面式晶体管的制造方法，包括下列步骤：选择一种低浓度掺杂的半导体衬底；在半导体衬底中形成高浓度掺杂的非本征集电区；在半导体衬底中形成隔离晶体管的下隔离层的准备层；在非本征集电区上形成低浓度掺杂的本征集电区；在本征集电区中形成隔离晶体管的下隔离层；在本征集电区中形成联接非本征集电区的高浓度掺杂的插塞；在本征集电区中形成隔离晶体管的上隔离层，并且上隔离层和下隔离层连通；在本征集电区上形成低浓度掺杂的本征基区；在本征基区上形成高浓度掺杂的非本征基区；在本征基区上形成高浓度掺杂的发射区，并且该发

专利地区：上海