基于碳纳米管的单电子晶体管制备方法专利登记公告

专利名称：基于碳纳米管的单电子晶体管制备方法

摘要：本发明提供一种基于碳纳米管的单电子晶体管的制备方法，属于单电子晶体管的研制领域。该方法包括：先制备微米尺度的十字形金属电极，选择相对的一对金属电极，并在电极对之间搭接上一根碳纳米管(或管束)，在碳纳米管(或管束)上产生一个纳米尺度的间隙尺寸(＜3nm)，即形成了由碳纳米管(或管束)组成的电极对，将单个有机或无机分子(或颗粒)俘获于间隙内，最后利用十字形金属电极中的另外一相对电极作双栅电极，形成单电子晶体管。本发明提出了用碳纳米管作为纳米电极构建单电子晶体管的新方法，它可以有效解决金属电极与分子间的相互作用问题，同时也能有效降低隧道结的电容，从而使器件可望在室温下工作。

专利类型：发明专利

专利号：CN200410101542.4

专利申请（专利权）人：北京大学

专利发明（设计）人：郭 奥;傅云义;刘 佳;黄 如;张 兴

主权项：1、一种基于碳纳米管的单电子晶体管制备方法，步骤包括：(1)制备微米尺度的十字形金属电极；(2)在相对的一对金属电极上搭接一根碳纳米管(或管束)；(3)在碳纳米管上产生一个尺寸在3nm以下的间隙，以形成碳纳米管(或管束)电极对；(4)将单个有机、无机分子(或颗粒)俘获于碳纳米管电极间隙内；(5)选用另外一相对电极作为双栅电极，以形成单电子晶体管。

专利地区：北京