制造快闪存储器件的方法专利登记公告

专利名称：制造快闪存储器件的方法

摘要：一种制造快闪存储器件的方法，其中于栅极线及源/漏极形成后，而于接触区的绝缘膜隔件被去除前，于该栅极线与该绝缘膜隔件间形成的一高品质缓冲氧化物膜，经由退火工艺而调整为致密。如此可避免当绝缘膜隔件被去除时，由于栅极的暴露金属层，因而出现异常氧化，原因是：在绝缘膜隔件被去除后，至少残留部分缓冲氧化物膜。

专利类型：发明专利

专利号：CN200510106945.2

专利申请（专利权）人：海力士半导体有限公司

专利发明（设计）人：李承撤;朴相昱

主权项：1.一种制造一快闪存储器件的方法，包括：形成一栅极线于一半导体衬底上；依次形成一缓冲氧化物膜及一氮化物膜于该栅极线上；利用毯覆式蚀刻工艺来蚀刻该氮化物膜，因而形成一绝缘膜隔件；经由使用该栅极线及该绝缘膜隔件作为一离子注入掩模，来形成杂质区于该半导体衬底；进行退火工艺从而使该缓冲氧化物膜变得致密；去除该绝缘膜隔件；以及进行一自对准接触工艺。

专利地区：韩国