一种晶体管及其制造方法专利登记公告

专利名称：一种晶体管及其制造方法

摘要：本发明公开了一种利用热膨胀系数不向于基底的插塞构成的双轴应变的晶体管和单轴应变的晶体管及其制造方法，若插塞的热膨胀系数比基底大，则于主动区可形成双轴拉伸应变通道的晶体管；若插塞的热膨胀系数比基底小，则于主动区可形成双轴压缩应变通道的晶体管；若于主动区的一相对边形成热膨胀系数较大的绝缘插塞，另一相对边形成势膨胀系数较小的绝缘插塞，则于主动区可形成单轴应变的晶体管。

专利类型：发明专利

专利号：CN200510127197.6

专利申请（专利权）人：台湾积体电路制造股份有限公司

专利发明（设计）人：季明华

主权项：1.一种利用热膨胀系数不同于基底的插塞构成具有双轴应变的晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供一基底；在该基底中形成一沟槽借以定义出一主动区；在该沟槽中形成一热膨胀系数不同于该基底的插塞；以及在该主动区形成一晶体管。

专利地区：台湾