半导体器件检查装置专利登记公告

专利名称：半导体器件检查装置

摘要：一种用于获取关于一个或多个孔的信息的系统，所述一个或多个孔设置于半导体晶片中或设置于在所述半导体晶片上或之上所设置的层中。所述系统包括：发射电子束的电子枪；测量补偿电流的电流测定装置，其中，所述补偿电流响应于发射到所述一个或多个孔上的电子束而产生；以及数据处理器，耦合到所述电流测定装置，以使用由所述电流测定装置所测量的补偿电流的量来确定与所述一个或多个孔的底直径或底周长相关的信息。

专利类型：发明专利

专利号：CN200510124312.4

专利申请（专利权）人：法梭半导体公司

专利发明（设计）人：山田惠三;板垣洋辅;牛木健雄;辻出彻

主权项：1.一种用于获取关于一个或多个孔的信息的系统，所述一个或多个孔设置于半导体晶片中或设置于在所述半导体晶片上或之上所设置的层中，所述系统包括：发射电子束的电子枪；测量补偿电流的电流测定装置，其中所述补偿电流响应于发射到所述一个或多个孔上的电子束而产生；以及数据处理器，耦合到所述电流测定装置，以使用由所述电流测定装置所测量的补偿电流的量来确定与所述一个或多个孔的底直径或底周长相关的信息。

专利地区：日本