光刻胶显影模拟的方法专利登记公告
专利名称：光刻胶显影模拟的方法
摘要：本发明公开了一种光刻工艺模拟的方法，包括光刻图形的光学成象模拟，光酸扩散模拟，光刻胶烘烤图形模拟和光刻胶显影模拟，其中光刻胶显影模拟中采用光刻曝光能量、最大显影速率归一化常数、显影阈值能量发散系数和MinDR代表最小显影速率归一化常数来表征随曝光能量变化的显影速率。
专利类型：发明专利
专利号：CN200810043986.5
专利申请（专利权）人：上海华虹NEC电子有限公司
专利发明（设计）人：王雷
主权项：一种光刻胶显影模拟的方法，其特征在于：所述光刻胶显影模拟中采用光刻曝光能量、最大显影速率归一化常数、显影阈值能量、发散系数和最小显影速率归一化常数来表征随曝光能量变化的显影速率。
专利地区：上海
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