掩模板及其制备方法专利登记公告

专利名称：掩模板及其制备方法

摘要：本发明涉及一种掩模板及其制备方法。该掩模板包括不透光区域、完全透光区域和部分透光区域，部分透光区域由半透明部分和透明部分交替排列形成。本发明将灰色调掩模技术和半色调掩模技术相结合制备出的一种新的掩模板，该掩模板在使用过程中使得部分透光区域下方的光刻胶曝光均匀，有利于形成光刻胶部分保留区域的平整表面，从而有利于TFT沟道刻蚀，提高了阵列基板的良品率，同时，光刻胶部分保留区域边缘的光刻胶倾角增大，有利于在形成TFT沟道过程中进行工艺的精确控制。

专利类型：发明专利

专利号：CN200810226814.1

专利申请（专利权）人：北京京东方光电科技有限公司

专利发明（设计）人：郝金刚;彭志龙;朴春培;王威

主权项：一种掩模板，包括不透光区域、完全透光区域和部分透光区域，其特征在于，所述部分透光区域由半透明部分和透明部分交替排列形成。

专利地区：北京