IC封装件及其制造方法专利登记公告

专利名称：IC封装件及其制造方法

摘要：本发明提供了一种IC封装件。该IC封装件包括引线框架，该引线框架包括在第一侧上部分蚀刻的金属带（222）。可配置该引线框架用于在其上安装IC芯片以及用于将多个接合区域（218）电耦合到引线框架和IC芯片。IC芯片、接合区域和金属引线框架的一部分用封装混合物所覆盖，并且从引线框架的底部表面突出多个接触垫（206）。在制造过程期间，引线框架的底部表面可被蚀刻一次或多次以减小底切的深度。还提供了一种用于制造IC封装件的方法。

专利类型：发明专利

专利号：CN200980161204.0

专利申请（专利权）人：李同乐

专利发明（设计）人：李同乐

主权项：一种形成IC封装件的方法，该方法包括：提供具有第一值的厚度的金属引线框架；图案化金属引线框架的顶部表面以在其中形成凹进处，该顶部表面凹进处限定了多个接合区域；有选择地电镀顶部表面；安装IC芯片到顶部表面上；将IC芯片电耦合到多个接合区域；在封装混合物中封装IC芯片；通过从金属引线框架的底部表面移除一层金属来将金属引线框架的厚度减小到第二值；有选择地电镀金属引线框架的底部表面以在其上形成图案，该图案限定了金属引线框架要被蚀刻的部分；有选择地蚀刻金属引线框架的该部分以在其底部表面中形成凹进处，该底部表面凹进处

专利地区：香港