在适于堆叠的集成电路中使用间断式硅过孔专利登记公告

专利名称：在适于堆叠的集成电路中使用间断式硅过孔

摘要：在适于在互连IC堆叠中使用的集成电路(IC)中，除了非间断式TSV外还提供间断式硅过孔(TSV)。间断式TSV提供除了堆叠IC之间的共用并行路径以外的信号路径。这允许使用TSV实施IC识别方案和其他功能，而无需堆叠中的交替的IC角度旋转。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080039115.1

专利申请（专利权）人：莫塞德技术公司

专利发明（设计）人：P·B·吉灵厄姆

主权项：一种集成电路设备，包括：衬底；有源电路和互连层，设置在所述衬底上并包括多个组分金属层；多个过孔，从所述有源电路和互连层延伸穿过所述衬底到达所述衬底的与所述有源电路和互连层相对的表面；多个键合焊盘，设置在所述表面上，所述键合焊盘分别轴向地对准于并电连接到所述过孔；以及多个终端，设置在所述有源电路和互连层上，所述终端分别轴向对准于所述过孔，所述终端的第一子集电连接到相关的过孔，且所述终端的第二子集包括被设置为相对于相关的轴向对准过孔的电气特征不同的节点的一个所述终端。

专利地区：加拿大