包含形成于低K金属化系统上的应力缓冲材料的半导体装置专利登记公告

专利名称：包含形成于低K金属化系统上的应力缓冲材料的半导体装置

摘要：形成在复杂的半导体装置的金属化系统上的凸块结构或柱状结构可以包含应力缓冲层(260)，该应力缓冲层可以有效地分散典型可能在芯片封装件交互作用期间因为上述组件之热失配所产生的机械应力。应力缓冲层(260)包括覆盖整体表面中显著部份的铜基缓冲区域(265)，其中亦可以使用约3至10μm的厚度。此外，该缓冲区域(265)可以有效地取代铝而做为终端金属主动区域。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080038650.5

专利申请（专利权）人：格罗方德半导体公司

专利发明（设计）人：A·沃尔特;M·列

主权项：一种半导体装置，包括：形成在基板(201)上方的金属化系统(220)，该金属化系统包括多个金属化层，至少一些该金属化层包括低k介电材料；形成在该金属化系统的最后金属化层上的应力缓冲层(260)，该应力缓冲层包括含铜缓冲区域(265)，该含铜缓冲区域导电地耦接至设置于该金属化系统的该最后金属化层的含铜接触垫片(242)；形成于该含铜缓冲区域(265)的一部分上的无铅接触组件(210)；以及透过该无铅接触组件(210)连接至该金属化系统之封装件基板(270)。

专利地区：开曼群岛