正向发光的发光二极管封装结构及其形成方法专利登记公告

专利名称：正向发光的发光二极管封装结构及其形成方法

摘要：本发明提供一正向发光的发光二极管封装结构及其形成方法，主要是通过双面电路结构，形成一双面或单面出光的正向发光的发光二极管封装结构。另外，本发明利用硅材料作为半导体组件封装基板，以增加半导体发光组件封装的散热效应，进而提升其发光效应以及延长其寿命。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010117903.X

专利申请（专利权）人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司

专利发明（设计）人：谢明村;曾文良;陈隆欣;林志勇

主权项：一正向发光之发光二极管封装结构，其特征在于：包含：一硅基板，具有一第一面以及一第二面，该第一面以及该第二面分别位于该硅基板的相对两侧；至少一第一半导体组件，设置于该硅基板的该第一面，用以发出至少一波长的光线；至少一第二半导体组件，设置于该硅基板的该第二面；以及一电路结构，设置于该硅基板的该第一面及该第二面，其中该电路结构用以将该至少一第一半导体组件以及该至少一第二半导体组件电连结至外部电路；其中该第一面是该正向发光之发光二极管封装结构的出光面，而该第二面是该正向发光之发光二极管封装结构的底面，并且该底面用以接合外部电路。

专利地区：广东