一种晶圆检测结构及其制作方法、晶圆检测方法专利登记公告

专利名称：一种晶圆检测结构及其制作方法、晶圆检测方法

摘要：本发明公开了一种晶圆检测结构及其制作方法、晶圆检测方法，其中晶圆检测结构位于晶圆的切割道中，该检测结构从下到上依次包括：包含有源区和场氧区的场氧层，至少一个多晶硅层，以及包含两个相对布置的梳状金属条及分别与两个金属条相连的金属触点的漏电检测层。本发明实施例提供的晶圆检测结构，与现有晶圆电参数检测使用的检测结构相比，不仅包含了能够反映金属布线工艺步骤对金属条间短路可能造成影响的结构，还包含了金属布线工艺之前形成有源区、形成多晶硅的工艺步骤对金属条间短路可能造成影响的结构，使用该检测结构对晶圆进行检测时，如果出现缺陷状况，可以准确地定位客户的晶圆部分也同样出现了缺陷，检测结果更准确。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010129223.X

专利申请（专利权）人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司

专利发明（设计）人：张国伟

主权项：一种晶圆检测结构，位于晶圆的切割道中，其特征在于，该检测结构从下到上依次包括：包含有源区和场氧区的场氧层，至少一个多晶硅层，以及包含两个相对布置的梳状金属条及分别与两个所述梳状金属条相连的金属触点的漏电检测层。

专利地区：北京