一种GaN HEMT器件跨导频散特性的测量系统及方法专利登记公告

专利名称：一种GaN HEMT器件跨导频散特性的测量系统及方法

摘要：本发明涉及一种Ga?NHEMT器件跨导频散特性的测量系统及方法，属于集成电路技术领域。所述测量系统包括第一直流电源、第二直流电源、交流信号提供装置、电容、电感、电阻、第一电压表和第二电压表；漏极和电阻相连，电阻和第一直流电源相连，第一电压表和电阻相并联；栅极和第二电压表相并联，电容连接在栅极和交流信号提供装置之间，电感连接在栅极和第二直流电源之间。通过本发明测量系统测得的频散特性可以推断器件表面态和陷阱的多少，进而判断材料和器件的优劣；同时包含频散特性的跨导曲线可以准确表征器件的直流特性，与模型中频率散射

专利类型：发明专利

专利号：CN201010575278.3

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：蒲颜;庞磊;陈晓娟;欧阳思华;李艳奎;刘新宇

主权项：一种GaN?HEMT器件跨导频散特性的测量系统，其特征在于，所述测量系统包括第一直流电源、第二直流电源、交流信号提供装置、电容、电感、电阻、第一电压表和第二电压表，所述GaN?HEMT器件包括栅极、漏极和源极；所述GaN?HEMT器件的源极接地，所述GaN?HEMT器件的漏极和电阻相连，所述电阻和第一直流电源相连，所述第一直流电源用于为GaN?HEMT器件的漏极提供正向偏置电压，所述第一电压表和电阻相并联，所述第一电压表用于测量电阻两端的电压；所述GaN?HEMT器件的栅极和第二电压表相并联，所述第二电压

专利地区：北京