异质结双极晶体管性能测试方法及测试系统专利登记公告

专利名称：异质结双极晶体管性能测试方法及测试系统

摘要：本发明提出了一种异质结双极晶体管性能测试方法及测试系统，利用低频噪声测试方法，对其噪声功率谱中的产生-复合噪声特征进行分析，利用模型拟合的方法量化其BE结附近的陷阱中心；可对器件特性分析及工艺改善起指导作用。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010605624.8

专利申请（专利权）人：上海华虹NEC电子有限公司

专利发明（设计）人：黄景丰

主权项：一种异质结双极晶体管性能测试方法，其特征在于，包括如下步骤：对异质结双极晶体管器件的BE结进行低频噪声功率谱测试，筛选出具有产生?复合噪声特征的频谱；根据函数????????????????????????????????????????????????，对筛选出的产生?复合噪声特征频谱的噪声部分进行拟合，公式中为trap中心捕获?释放的时间，?，为trap中心的频率，JB为电流密度，a和k的取值范围为1.9~2.1，C为拟合常数；从频谱中找到拟合曲线上第一个的拐点的位置，其位置的横坐标值为的值，纵坐标值

专利地区：上海