基于温度敏感电阻的热对流加速度传感器芯片的制作方法专利登记公告

专利名称：基于温度敏感电阻的热对流加速度传感器芯片的制作方法

摘要：本发明提供一种基于温度敏感电阻的热对流加速度传感器芯片的制作方法，该方法首先在单晶硅片表面形成氧化层和低应力氮化硅层；然后在低应力氮化硅层上制作多晶硅温度敏感电阻和多晶硅加热电阻；再制作金属互连线形成加速度传感器输出电路；腐蚀单晶硅片形成凹腔，释放悬臂梁；并用BCB胶键合盖板硅片形成密闭空腔，完成加速度传感器芯片。本发明采用LPCVD淀积的低应力氮化硅薄膜作为加热电阻和温度敏感电阻的支撑层，并采用LPCVD淀积和掺杂工艺制作多晶硅加热电阻和多晶硅温度敏感电阻，所制作的热对流加速度传感器芯片具有检测精度高，

专利类型：发明专利

专利号：CN201010584462.4

专利申请（专利权）人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

专利发明（设计）人：李昕欣;王权

主权项：一种基于温度敏感电阻的热对流加速度传感器芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、在单晶硅片表面利用干法热氧化形成一层氧化层，并利用低压化学气相沉积工艺在所述氧化层上形成第一氮化硅层；步骤二、利用低压化学气相沉积工艺在所述第一氮化硅层上沉积多晶硅层并进行硼离子注入，然后刻蚀所述多晶硅层，形成多晶硅温度敏感电阻和多晶硅加热电阻；再次利用低压化学气相沉积工艺在所述多晶硅温度敏感电阻和多晶硅加热电阻上形成第二氮化硅层；步骤三、在所述第二氮化硅层上开设接触孔，使所述多晶硅温度敏感电阻和多晶硅加热电阻部分露

专利地区：上海