一种四氧化三钴纳米线阵列、其制备方法以及作为锂离子电池负极的用途专利登记公告

专利名称：一种四氧化三钴纳米线阵列、其制备方法以及作为锂离子电池负极的用途

摘要：本发明涉及一种四氧化三钴纳米线阵列、其制备方法以及作为锂离子电池负极的用途。该四氧化三钴纳米线阵列，其形貌为菱形结构，菱形的边长为100nm~500nm，菱形内角的锐角为30°~60°，阵列长度为5μm~20μm。本发明还提供了制备该四氧化三钴纳米线阵列的方法，以一定摩尔比的钴盐、化学结合剂、碱性反应物和水在常温下进行混合搅拌，将混合均匀的溶液移入反应釜中，并将干净的衬底置于溶液中进行水热反应后取出冲洗，再在惰性气氛中热处理，得到四氧化三钴纳米线阵列。本发明的四氧化三钴纳米线阵列可直接作为锂离子电池负极，

专利类型：发明专利

专利号：CN201210002292.3

专利申请（专利权）人：浙江大学

专利发明（设计）人：朱丽萍;梅伟民

主权项：一种四氧化三钴纳米线阵列，其特征在于，阵列形貌为菱形结构，菱形的边长为100nm?~?500?nm，菱形内角的锐角为30°~60°，阵列长度为5μm?~20μm。

专利地区：浙江