配置状态可定制的可编程逻辑电路专利登记公告

专利名称：配置状态可定制的可编程逻辑电路

摘要：本发明公开了一种配置状态可定制的可编程逻辑电路，涉及逻辑电路技术，n个配置SRAM单元电路和m个双端口SRAM单元电路，将其并列设置固化成阵列；经掩膜定制单元通过定制有限层的金属掩膜层建立选择连接，实现配置SRAM和双端口SRAM的固化。本发明的可编程逻辑电路，开发周期短、成本低，且克服了普通FPGA在辐照条件下配置SRAM易翻转的问题。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010591415.2

专利申请（专利权）人：中国科学院电子学研究所

专利发明（设计）人：杨海钢;贾一平;屈小钢

主权项：一种配置状态可定制的可编程逻辑电路，包括n个配置SRAM单元电路、可编程资源、n个掩膜定制单元；其特征在于，每个配置SRAM单元电路包括开关、第一反向器、第二反向器、掩膜定制单元；配置SRAM单元电路的位线BL接到开关的一端，开关的另一端接第一反向器的输入端、第二反向器的输出端、掩膜定制单元输入端和节点CBT0，第一反向器的输出端接第二反向器的输入端；并经掩膜定制单元通过定制有限层的金属掩膜层建立选择连接；读/写使能端RW0与开关栅极电连接；节点CBT0与可编程资源电连接；n个配置SRAM单元电路并列设置

专利地区：北京