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曝光方法和系统专利登记公告


专利名称:曝光方法和系统

摘要:本发明实施例公开了一种曝光方法,包括:提供第一批次晶片,该批次晶片被依次分为一个或多个部分;对所述第一批次晶片中的第一晶片进行曝光,得出该批次晶片曝光能量的基准值;根据预先存储的膜层的厚度,依次查询出各部分晶片对应的膜层厚度;根据该批次晶片曝光能量的基准值,以及预设的曝光能量调整值与膜层厚度的对应关系表达式,计算得出各部分晶片的曝光能量修正值;按照各部分晶片的曝光能量修正值,依次对各部分晶片进行曝光。本发明通过预先设置曝光能量调整值与膜层厚度的对应关系表达式,使曝光能量修正值的计算更加精确,从而使器件的C

专利类型:发明专利

专利号:CN201010597803.1

专利申请(专利权)人:无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司

专利发明(设计)人:陈辉;黄玮;陈刚;叶序明;沈佳

主权项:一种曝光方法,其特征在于,包括:提供第一批次晶片,该批次晶片被依次分为一个或多个部分;对所述第一批次晶片中的第一晶片进行曝光,得出该批次晶片曝光能量的基准值;根据预先存储的膜层的厚度,依次查询出各部分晶片对应的膜层厚度;根据该批次晶片曝光能量的基准值,以及预设的曝光能量调整值与膜层厚度的对应关系表达式,计算得出各部分晶片的曝光能量修正值;按照各部分晶片的曝光能量修正值,依次对各部分晶片进行曝光。

专利地区:江苏