太阳能晶片的掺杂方法以及掺杂晶片专利登记公告

专利名称：太阳能晶片的掺杂方法以及掺杂晶片

摘要：本发明公开了一种太阳能晶片的掺杂方法包括以下步骤：在N型基底表面设置第一掩模板，该N型基底表面上未被该第一掩模板覆盖的区域为第一开放区域；在N型基底表面形成N+型掺杂区域；在N型基底表面设置第二掩模板，该N型基底表面上未被该第一掩模板和该第二掩模板覆盖的区域为第二开放区域；在N型基底表面形成P+型掺杂区域，其中该N+型掺杂区域与该P+型掺杂区域互不接触；去除该第一掩模板与该第二掩模板，其中，所述的P型替换为N型时，N型同时替换为P型。本发明还公开了一种掺杂晶片。本发明中P+型掺杂区域与N+型掺杂区域之间具

专利类型：发明专利

专利号：CN201010599357.8

专利申请（专利权）人：上海凯世通半导体有限公司

专利发明（设计）人：钱锋

主权项：一种太阳能晶片的掺杂方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤S1、在N型基底表面设置第一掩模板，该N型基底表面上未被该第一掩模板覆盖的区域为第一开放区域；步骤S2、在N型基底表面形成N+型掺杂区域，其中该N+型掺杂区域形成于该N型基底表面上与该第一开放区域相对应的区域；步骤S3、在N型基底表面设置第二掩模板，该N型基底表面上未被该第一掩模板和该第二掩模板覆盖的区域为第二开放区域；步骤S4、在N型基底表面形成P+型掺杂区域，其中该P+型掺杂区域形成于该N型基底表面上与该第二开放区域相对应的区域，其中该N+型掺

专利地区：上海