半导体器件缺陷的检测方法专利登记公告

专利名称：半导体器件缺陷的检测方法

摘要：一种半导体器件缺陷的检测方法，包括下列步骤：在半导体衬底上形成MOS晶体管，所述MOS晶体管包括栅极、源/漏极；在MOS晶体管的栅极上及源/漏极的半导体衬底上形成金属硅化物层；对金属硅化物层进行检测；如检测出无缺陷，则继续在后续晶圆上进行半导体器件制作，如不符合要求，则调整相应制造设备的参数。本发明避免了在成品后再检测而造成的大批次的晶圆浪费的情况，在降低浪费率的同时也提高了成品率。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010603458.8

专利申请（专利权）人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司

专利发明（设计）人：陈亚威

主权项：一种半导体器件缺陷的检测方法，其特征在于，包括下列步骤：在半导体衬底上形成MOS晶体管，所述MOS晶体管包括栅极、源/漏极；在MOS晶体管的栅极上及源/漏极的半导体衬底上形成金属硅化物层；对金属硅化物层进行检测；如检测出无缺陷，则继续在后续晶圆上进行半导体器件制作，如不符合要求，则调整相应制造设备的参数。

专利地区：江苏