适于源漏导通检测的检测结构及其检测方法专利登记公告

专利名称：适于源漏导通检测的检测结构及其检测方法

摘要：本发明提供了一种适于源漏导通的检测结构，其设置于衬底上，包括至少一个水平截面为中空的多边形的有源区环，每个所述有源区环上设有至少一个多晶硅栅，所述多晶硅栅与其两侧所述有源区环构成MOS结构。本发明的检测结构，适于利用E-beam检测的方法检测外延金属的电压对比度，通过的明暗程度观察，可以清楚显示出上述检测结构中是否存在源漏导通，进而，可以判断得出晶圆上是否存在源漏导通。由于发现问题的时间早，也就可以做到避免了不必要的对于废品的后续加工。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010614625.9

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

专利发明（设计）人：吴浩;李鹤鸣;李彬;王璐

主权项：一种适于源漏导通检测的检测结构，其设置于衬底上，其特征在于，包括至少一个水平截面为中空的多边形的有源区环，每个所述有源区环上设有至少一个多晶硅栅，所述多晶硅栅与其两侧所述有源区环构成MOS结构。

专利地区：上海