快速热退火方法专利登记公告
专利名称:快速热退火方法
摘要:本发明实施例公开了一种快速热退火方法,该方法包括:低温台阶阶段,设置边缘区域的灯管功率大于中心区域的灯管功率;升温阶段,设置边缘区域的灯管功率小于中心区域的灯管功率;降温阶段,设置边缘区域的灯管功率大于中心区域的灯管功率。本发明所提供的方法,根据边缘区域和中心区域辐射放热和辐射吸热特性的不同,在各个阶段设置边缘区域和中心区域具有不同的灯管功率,从而使得晶片边缘区域和中心区域具有大致相同的温度,提高了晶片的温度均匀性。
专利类型:发明专利
专利号:CN201010607697.0
专利申请(专利权)人:无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
专利发明(设计)人:周祖源;孟昭生
主权项:一种快速热退火方法,其特征在于,包括:低温台阶阶段,设置边缘区域的灯管功率大于中心区域的灯管功率;升温阶段,设置边缘区域的灯管功率小于中心区域的灯管功率;降温阶段,设置边缘区域的灯管功率大于中心区域的灯管功率。
专利地区:江苏
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