MEMS装置的制作方法专利登记公告

专利名称：MEMS装置的制作方法

摘要：本发明提供MEMS装置的制作方法，包括：提供第一半导体衬底和第二半导体衬底，所述第一半导体衬底上形成有第一凹槽，所述第二半导体衬底上形成有第二凹槽，所述第二凹槽的位置与所述第一凹槽的位置对应；进行键合工艺，使得所述第一半导体衬底和第二半导体衬底结合，且所述第一凹槽与第二凹槽相连通，形成MEMS空腔；在所述MEMS空腔内填充导热气体；对所述填充有导热气体的MEMS空腔上方的第一半导体衬底进行等离子体刻蚀，形成MEMS活动器件，所述MEMS活动器件与所述第一半导体衬底之间形成有通孔，所述通孔与所述MEMS空腔

专利类型：发明专利

专利号：CN201010620560.9

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

专利发明（设计）人：刘煊杰;刘国安

主权项：一种MEMS装置的制作方法，其特征在于，包括：提供第一半导体衬底和第二半导体衬底，所述第一半导体衬底上形成有第一凹槽，所述第二半导体衬底上形成有第二凹槽，所述第二凹槽的位置与所述第一凹槽的位置对应；进行键合工艺，使得所述第一半导体衬底和第二半导体衬底结合，且所述第一凹槽与第二凹槽相连通，形成MEMS空腔；在所述MEMS空腔内填充导热气体；对所述填充有导热气体的MEMS空腔上方的第一半导体衬底进行等离子体刻蚀，形成MEMS活动器件，所述MEMS活动器件与所述第一半导体衬底之间形成有通孔，所述通孔与所述MEM

专利地区：上海