半导体制造装置专利登记公告

专利名称：半导体制造装置

摘要：公开了在半导体制造工序中在晶片上形成膜等各种工序中使用的半导体制造工序。管的内部具有工序空间，且在一侧具有排出口。容器能够通过管的下侧开口出入。基座在容器内上下相互隔开地被支承，且各个基座的旋转中心形成有中央孔，并且在各个基座的上表面绕着中心放置有多个晶片。供给管设置成从容器的上侧贯通于多个基座的各中央孔，形成有将从外部接收的工序气体喷向多个基座的各上表面的多个喷射口。由此，能够增加一次所能工序处理的晶片的数量，能够缩短工序处理时间，并且能够在所有晶片上形成均匀的膜。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080032024.5

专利申请（专利权）人：圆益IPS股份有限公司

专利发明（设计）人：朴相俊;金颖俊

主权项：一种半导体制造装置，其特征在于，包括：管，其在内部具有工序空间，且在一侧具有排出口；容器，其能够通过上述管的下侧开口出入；多个基座，这些基座在上述容器内上下相互隔开地被支承，且各个基座的旋转中心形成有中央孔，并且在各个基座的上表面绕着中心放置有多个晶片；以及供给管，其设置成从上述容器的上侧贯通于上述多个基座的各中央孔，形成有将从外部接收的工序气体喷向上述多个基座的各上表面的多个喷射口。

专利地区：韩国