催化CVD装置、膜的形成方法和太阳能电池的制造方法专利登记公告

专利名称：催化CVD装置、膜的形成方法和太阳能电池的制造方法

摘要：在催化CVD装置(100)中，控制部在成膜时前后的规定的时间内，将催化剂丝(13)的温度控制在待机温度。待机温度是低于成膜时催化剂丝(13)的温度且高于室温的规定温度。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080045522.3

专利申请（专利权）人：三洋电机株式会社;株式会社爱发科

专利发明（设计）人：甲斐干英;大园修司;冈山智彦;小形英之

主权项：一种催化CVD装置，其特征在于：其对设置于反应室内且被加热的催化剂丝供给原料气体，使所生成的分解产物沉积在所述反应室内的被成膜基材上，进行成膜，该催化CVD装置具有控制部，在向所述被成膜基材上成膜时，所述控制部能够进行控制使所述催化剂丝的温度为所述原料气体的分解温度，在所述成膜时前后各规定的时间内，所述控制部能够进行控制使所述催化剂丝的温度为低于所述成膜时所述催化剂丝的温度且高于室温的规定温度。

专利地区：日本