中空阴极喷头专利登记公告

专利名称：中空阴极喷头

摘要：本发明的实施例提供了用于利用来自等离子体的自由基进行金属HVPE或MOCVD的方法和装置。本发明的一个实施例提供了具有配气总成的处理室，所述配气总成被配置成生成等离子体，并且在将处理体积与等离子体的电场隔离的同时、将一种或多种自由基种供给到处理体积。在一个实施例中，配气总成具有多个通路，该多个通路由连接到锥体的钻孔限定，其中钻孔的纵横比被调整为允许等离子体中的自由基的通过并且保持等离子体的电场。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080042491.6

专利申请（专利权）人：应用材料公司

专利发明（设计）人：大卫·喀什;石川徹夜;奥尔加·克拉里奥克;布莱恩·布尔洛斯;亚历山大·泰姆;特泽·蓬;安中·常

主权项：一种用于处理一个或多个衬底的室，所述室包括：室主体，其限定处理体积；基座，其布置在所述处理体积中并且被配置成支撑所述一个或多个衬底；配气总成，其布置在所述基座上方，其中所述配气总成被配置成生成等离子体，并且在将所述处理体积与所述等离子体的电场隔离的同时、将来自所述等离子体的一种或多种自由基种供给到所述处理体积；RF(射频)电源，其耦合到所述配气总成；第一反应物气源，其耦合到所述配气总成；以及第二反应物气源，其与所述处理体积流体地连通。

专利地区：美国