SiC外延晶片及其制造方法专利登记公告

专利名称：SiC外延晶片及其制造方法

摘要：本发明提供一种在晶片的整个面没有台阶束的无台阶束的SiC外延晶片及其制造方法。本发明的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：将以5°以下的偏轴角倾斜的4H-SiC单晶基板研磨到其表面的晶格无序层变为3nm以下的工序；在氢气氛下，使研磨后的基板为1400～1600℃，将其表面清洁化的工序；向清洁化后的基板的表面，以浓度比C/Si为0.7～1.2同时地供给碳化硅的外延生长所需要的量的SiH4气体和C3H8气体，使碳化硅外延生长的工序；和同时地停止SiH4气体和C3H8气体的供给，保持基板温度直到排出S

专利类型：发明专利

专利号：CN201080037687.6

专利申请（专利权）人：昭和电工株式会社

专利发明（设计）人：百瀬賢治;田岛裕;坂口泰之;小田原道哉;宫坂佳彦

主权项：一种SiC外延晶片，是在以0.4°～5°的偏轴角倾斜的4H?SiC单晶基板上形成了SiC外延层的SiC外延晶片，其特征在于，在通过使用激光的光学式表面检查装置测定了所述SiC外延晶片层的表面的情况下，所述表面的平方平均粗糙度Rq为1.3nm以下。

专利地区：日本