用于含碳膜的硅选择性干式蚀刻方法专利登记公告

专利名称：用于含碳膜的硅选择性干式蚀刻方法

摘要：在此描述一种蚀刻含硅及碳的材料的方法，所述方法包括结合反应性氧流的SiConiTM蚀刻。反应性氧可在SiConiTM蚀刻之前导入，从而减少接近表面区域处的碳含量，并且使SiConiTM蚀刻得以更快速进行。或者，反应性氧可在SiConiTM蚀刻期间导入，以进一步改善有效的蚀刻速率。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080047977.9

专利申请（专利权）人：应用材料公司

专利发明（设计）人：K·萨普瑞;J·唐;L·王;A·B·马利克;N·英格尔

主权项：一种在基板处理腔室的基板处理区域中蚀刻基板的表面上的含硅及碳层的方法，所述方法包括以下步骤：将含氟前体与含氢前体流入第一远端等离子体区域，同时在所述第一远端等离子体区域中形成等离子体以产生等离子体流出物，其中所述第一远端等离子体区域流体连通式耦接至所述基板处理区域；藉由将所述等离子体流出物与反应性氧流入所述基板处理区域来蚀刻所述含硅及碳层，同时在所述基板的所述表面上形成固体副产物；以及藉由将所述基板的温度增加至所述固体副产物的升华温度之上来升华所述固体副产物。

专利地区：美国