用于半导体的各向异性蚀刻的工艺专利登记公告

专利名称：用于半导体的各向异性蚀刻的工艺

摘要：本发明提供一种用于各向异性地蚀刻半导体材料如II-VI和III-V半导体的方法。该方法涉及用非反应性气体透过蚀刻掩模以等离子体溅射蚀刻半导体材料、随后藉等离子聚合作用使聚合物形成物聚合以钝化侧壁的重复循环。使用该工序，可以制造用于下转变发光二极管设备中的小像素。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080050658.3

专利申请（专利权）人：3M创新有限公司

专利发明（设计）人：特里·L·史密斯;张俊颖

主权项：一种各向异性地蚀刻半导体的方法，其包括：在真空室中提供其上有蚀刻掩模的半导体；用非反应性蚀刻气体透过所述蚀刻掩模溅射蚀刻所述半导体，以从所述半导体的表面上移除材料并提供至少一个蚀刻的表面；将聚合物形成物引入到所述真空室中；将所述聚合物形成物聚合到所述半导体的暴露表面上；和重复所述蚀刻步骤和所述聚合步骤以形成蚀刻的半导体。

专利地区：美国