硅通孔工艺中的硅基板背面蚀刻用蚀刻液及使用该蚀刻液的具有硅通孔的半导体芯片的制造方法专利登记公告
专利名称：硅通孔工艺中的硅基板背面蚀刻用蚀刻液及使用该蚀刻液的具有硅通孔的半导体芯片的制造方法
摘要：本发明提供用于硅通孔工艺中的硅基板背面蚀刻、不蚀刻由铜或钨等金属或者多晶硅等形成的连接塞而仅蚀刻硅基板、且具有优异的蚀刻速率的蚀刻液以及使用该蚀刻液的具有硅通孔的半导体芯片的制造方法。本发明提供含有氢氧化钾、羟胺和水的硅通孔工艺中的硅基板背面蚀刻用蚀刻液以及具有使用该蚀刻液的硅基板背面蚀刻工序的半导体芯片的制造方法。
专利类型：发明专利
专利号：CN201080050770.7
专利申请（专利权）人：三菱瓦斯化学株式会社
专利发明（设计）人：外赤隆二;藤音喜子
主权项：一种硅通孔工艺中的硅基板背面蚀刻用蚀刻液，其含有氢氧化钾、羟胺和水。
专利地区：日本
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