微电子封装及其制造方法专利登记公告

专利名称：微电子封装及其制造方法

摘要：一种微电子封装包括：具有第一表面区域(125)的第一衬底(120)和具有第二表面区域(135)的第二衬底(130)。第一衬底包括在第一表面(121)处具有第一间距(127)的第一组互连(126)和在第二表面(222)处具有第二间距(129)的第二组互连(128)。第二衬底利用第二组互连耦合到第一衬底，并包括具有第三间距(237)的第三组互连(236)以及利用微通路(240)彼此连接的内部导电层(233，234)。第一间距小于第二间距，第二间距小于第三间距，并且第一表面区域小于第二表面区域。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080049669.X

专利申请（专利权）人：英特尔公司

专利发明（设计）人：J·S·古泽克;M·瑟瓦库马;H·R·阿兹米

主权项：一种微电子封装，包括：具有第一表面区域的第一衬底，所述第一衬底包括在其第一表面处具有第一间距的第一组互连和在其第二表面处具有第二间距的第二组互连；以及具有第二表面区域的第二衬底，所述第二衬底利用所述第二组互连耦合到所述第一衬底，并包括：具有第三间距的第三组互连；以及利用微通路彼此连接的第一和第二内部导电层，其中：所述第一间距小于所述第二间距；所述第二间距小于所述第三间距；并且所述第一表面区域小于所述第二表面区域。

专利地区：美国