用于改善晶片级封装的可靠性的再分布层增强专利登记公告

专利名称：用于改善晶片级封装的可靠性的再分布层增强

摘要：本发明提供一种增强的再分布层，它按几何形状扩张与晶片级封装WLP的球栅格阵列相关联的再分布层RDL垫，以在所述WLP的温度循环及/或坠落测试期间提供拉应力缓解。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080050679.5

专利申请（专利权）人：美士美积体产品公司

专利发明（设计）人：S·凯萨尔·拉希姆;条·周;阿尔卡迪·萨莫伊洛夫;维伦·卡恩德卡尔;勇·力·徐

主权项：一种晶片级封装，它包含：焊料接合位置阵列，位于所述晶片级封装的第一侧上，其特征在于，至少一个焊料接合位置包含：球下金属UBM层，具有UBM直径；及再分布层RDL，位置低于且邻接于所述UBM层，所述RDL包含：RDL垫区域，具有RDL垫区域宽度；及RDL延伸翼区域，所述RDL延伸翼区域在从所述RDL垫区域的中心径向向外及从所述晶片级封装的所述第一侧的中央位置径向向外或朝向所述晶片级封装的所述第一侧的中央位置径向向内的方向上从所述RDL垫区域延伸。

专利地区：美国