半导体装置、半导体装置的制造方法以及带有粘接剂层的半导体晶片专利登记公告

专利名称：半导体装置、半导体装置的制造方法以及带有粘接剂层的半导体晶片

摘要：一种半导体装置的制造方法，其包括：使粘接剂组合物在半导体晶片的与电路面相反侧的面上成膜而形成粘接剂层的工序；通过光照射对粘接剂层进行B阶化的工序；将半导体晶片与经B阶化的所述粘接剂层一起切断而切成多个半导体芯片的工序；以及对于半导体芯片和支撑构件或其它半导体芯片，在它们之间夹着粘接剂层的状态下进行压接，从而进行粘接的工序。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080050769.4

专利申请（专利权）人：日立化成工业株式会社

专利发明（设计）人：满仓一行;川守崇司;增子崇;加藤木茂树;藤井真二郎

主权项：一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：使粘接剂组合物在半导体晶片的与电路面相反侧的面上成膜而形成粘接剂层的工序；通过光照射对所述粘接剂层进行B阶化的工序；将所述半导体晶片与经B阶化的所述粘接剂层一起切断而切成多个半导体芯片的工序；以及对于所述半导体芯片和支撑构件或其它半导体芯片，在它们之间夹着所述粘接剂层的状态下进行压接，从而进行粘接的工序。

专利地区：日本