离子注入系统及方法专利登记公告

专利名称：离子注入系统及方法

摘要：一种离子注入系统及方法，提供掺杂气体馈送线路中掺杂气体的冷却，以对抗由于电弧腔室生成的热量而造成掺杂气体的加热与分解,例如使用诸如B2F4的硼源材料，或其它BF3的替代物。在此描述了各种电弧腔室热管理的设置，以及等离子体特性的改变、特定流动设置、清洗处理过程、功率管理、平衡偏移、提取光学器件的最优化、流动通道中的沉积物的探测，以及源寿命的最优化，以实现离子注入系统的有效操作。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080054595.9

专利申请（专利权）人：先进科技材料股份有限公司

专利发明（设计）人：E·E·琼斯;S·N·叶德弗;唐瀛;B·L·钱伯斯;R·凯姆;J·D·斯威尼;O·拜尔;邹鹏

主权项：一种离子注入系统，包括：离子源，包括设置为在其中对气体进行离子化的电弧腔室；掺杂气体源；掺杂气体馈送线路，用于将掺杂气体从所述掺杂气体源引入所述电弧腔室；以及冷却结构，与所述掺杂气体馈送线路相关联，并且设置为冷却所述掺杂气体馈送线路中的掺杂气体，从而对抗由所述电弧腔室的操作中生成的热量对所述掺杂气体的加热，以及由这样的热量造成的所述掺杂气体的分解。

专利地区：美国