晶圆级半导体晶片封装方法及半导体晶片封装体专利登记公告

专利名称：晶圆级半导体晶片封装方法及半导体晶片封装体

摘要：一种晶圆级半导体晶片封装方法及一种半导体晶片封装体被提供，该半导体晶片封装体的特征在于包含：半导体基体，该半导体基体具有一个电极形成表面和至少一个形成于该电气接点形成表面上的电气接点；一个形成在该半导体基体的形成表面上的保护层，该保护层形成有数个各曝露一对应的电气接点的曝露孔；形成于每个曝露孔之内的导电触点；及形成于每个导电触点之上的在曝露孔之外的导电触点。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110009918.9

专利申请（专利权）人：王琮淇

专利发明（设计）人：王琮淇

主权项：一种半导体晶片封装方法，其特征在于包含：提供一个半导体晶圆，该半导体晶圆具有数个晶片区域，每个晶片区域具有一个半导体基体，每个半导体基体具有一个电极形成表面和至少一个形成于该电气接点形成表面上的电气接点；在所有晶片区域的半导体基体的形成表面上涂布一个光阻层，借着曝光与显影处理，该光阻层形成有数个各曝露一对应的电气接点的曝露孔；在该光阻层的每个曝露孔之内填充导电材料并且透过回焊处理使填充于每个曝露孔之内的导电材料形成一导电触点；把该光阻层移除并且在该等晶片区域的电气接点形成表面上涂布一个覆盖所有导电触点的保

专利地区：台湾