一种基于湿法腐蚀制备位相型衍射光学元件的方法专利登记公告

专利名称：一种基于湿法腐蚀制备位相型衍射光学元件的方法

摘要：本发明公开了一种基于湿法腐蚀制备位相型衍射光学元件的方法，该方法利用SU-8负性光刻胶形成衍射光学元件光刻胶图形，之后通过旋涂无机负性电子束光刻抗蚀剂HSQ，对样品进行X射线辐照使无机负性电子束光刻抗蚀剂HSQ转变为类石英，最后通过浓硫酸和双氧水的混合液去除SU-8负性光刻胶形成位相型衍射光学元件。该方法快速有效地去除了X射线曝光后的SU-8负性光刻胶，并且在X射线曝光的同时将HSQ转变为类石英，可以制备出石英底部非常光滑的位相型衍射光学元件。这种方法具有稳定可靠且与传统的光刻工艺相兼容的优点。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110061444.2

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：李海亮;谢常青;牛洁斌;朱效立;史丽娜;刘明

主权项：一种基于湿法腐蚀制备位相型衍射光学元件的方法，其特征在于，该方法利用SU?8负性光刻胶形成衍射光学元件光刻胶图形，之后通过旋涂无机负性电子束光刻抗蚀剂HSQ，对样品进行X射线辐照使无机负性电子束光刻抗蚀剂HSQ转变为类石英，最后通过浓硫酸和双氧水的混合液去除SU?8负性光刻胶形成位相型衍射光学元件。

专利地区：北京