功率元件封装结构专利登记公告

专利名称：功率元件封装结构

摘要：本发明公开了一种功率元件封装结构，是将功率元件封装结构的金属基板作为电容单元的下电极，并于该金属基板上依序设置介电材料层与上金属层，该上金属层为上电极，而该金属基板为下电极，使形成电容单元，简化并整合电容单元于功率元件封装结构中。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110068111.2

专利申请（专利权）人：财团法人工业技术研究院

专利发明（设计）人：彭锦星;李明林;赖信助;张慧如

主权项：一种功率元件封装结构，其特征在于，包含：金属基板；介电材料层，设置于该金属基板上；至少一功率元件，设置于该金属基板上；以及上金属层，设置于该介电材料层上，其中该上金属层与该介电材料层、该金属基板形成一电容单元。

专利地区：台湾