功率型电极上下设置的LED集成封装器件及其封装方法专利登记公告

专利名称：功率型电极上下设置的LED集成封装器件及其封装方法

摘要：本发明涉及一种功率型电极上下设置的LED芯片的集成封装器件及其封装方法，在铝块上设有绝缘层，互相隔离的反射线路层排列组合在绝缘层上，LED芯片的P型欧姆接触电极端固晶在各自的反射线路层上；金属键合线将第一排的第一个LED芯片的N型欧姆接触电极与第二个LED芯片的反射线路层连接，直至第一排的全部LED芯片连接成第一排LED芯片串联结构，第一排至第k排LED芯片串联结构的第一个反射线路层都与阳极接出端连接，其中最后一个LED芯片的N型欧姆接触电极都与阴极接出端连接，形成第一排至第k排LED芯片串联结构的并联；最后涂覆荧光粉，包覆封装。本发明具有散热效果好，高驱动电压，发光效率高的有益效果。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110118515.8

专利申请（专利权）人：江西科技师范学院

专利发明（设计）人：万齐欣;熊志华;刘卫云;邵碧琳

主权项：一种功率型电极上下设置的LED集成封装器件，包括上下设置电极的LED芯片（10）的N型欧姆接触电极（3）、N型外延层（4）、P型外延层（6）和P型欧姆接触电极（5）自上而下依次叠加，其特征在于：在铝块（1）上设有绝缘层（8），互相隔离的反射线路层（9）排列组合在绝缘层（8）上，所述上下设置电极的LED芯片（10）的P型欧姆接触电极（5）端固晶在各自的反射线路层（9）上；金属键合线（2）将第一排的LED芯片（10）中的第一个LED芯片（10）的N型欧姆接触电极（3）与第二个LED芯片（10）的反射线路层（9）连接，金属键合线（2）将第二个LED芯片（10）的N型欧姆接触电极（3）与第三个LED芯片（10）的反射线路层（9）连接，以此类推，金属键合线（2）将第m个LED芯片（10）的N型欧姆接触电极（3）与第m+1个LED芯片（10）的反射线路层（9）连接，直至第一排的全部LED芯片（10）连接成第一排LED芯片串联结构；第二排的全部LED芯片（10）也同第一排的LED芯片（10）一样连接成第二排LED芯片串联结构，以此类推，第k排的全部LED芯片（10）也同第一排的LED芯片（10）一样连接成第k排LED芯片串联结构；第一排至第k排中各排的LED芯片串联结构的第一个LED芯片（10）的反射线路层（9）都与位于绝缘层（8）一端的阳极接出端（11）连接，第一排至第k排中各排的LED芯片串联结构的最后一个LED芯片（10）的N型欧姆接触电极（3）都与位于绝缘层（8）另一端的阴极接出端（12）连接，形成第一排至第k排中各排的LED芯片串联结构的并联；最后涂覆荧光粉，包覆封装。

专利地区：江西