发光二极管封装结构专利登记公告

专利名称：发光二极管封装结构

摘要：本发明提供一种发光二极管封装结构，包括：一基底；一发光二极管芯片(LED?chip)，形成于基底之上；一复合镀层，形成于发光二极管芯片之上，其中复合镀层包括一第一镀层与一第二镀层，且该复合镀层于约500-800nm的波长范围内具有大于95％的反射率；一杯壳主体(cup?body)，形成于该基底之上且环绕该发光二极管芯片；以及一封装层，覆盖发光二极管芯片，其中封装层包括一波长转换物质。本发明能减少或避免光捕捉效应，提高发光二极管的发光效率。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110122980.9

专利申请（专利权）人：隆达电子股份有限公司

专利发明（设计）人：蔡培崧;林子朴;傅思维

主权项：一种发光二极管封装结构，包括：一基底；一发光二极管芯片，形成于该基底之上；一复合镀层，形成于该发光二极管芯片之上，其中该复合镀层包括一第一镀层与一第二镀层，且该复合镀层于500?800nm的波长范围内具有大于95％的反射率；一杯壳主体，形成于该基底之上，其中该杯壳主体环绕该发光二极管芯片；以及一封装层，覆盖于该发光二极管芯片之上，其中该封装层包括一波长转换物质。

专利地区：台湾