检测穿通芯片通孔的缺陷的集成电路专利登记公告
专利名称：检测穿通芯片通孔的缺陷的集成电路
摘要：本发明提供一种在晶片级检测穿通硅通孔是否具有缺陷的集成电路。所述集成电路包括：半导体衬底；穿通硅通孔，被配置为形成在半导体衬底中以从半导体衬底的表面延伸至特定深度；输出焊盘；以及电流路径提供单元，被配置为在测试模式期间将半导体衬底与穿通硅通孔之间流动的电流提供至输出焊盘。
专利类型：发明专利
专利号：CN201110130233.X
专利申请（专利权）人：海力士半导体有限公司
专利发明（设计）人：金大石;李锺天;金澈
主权项：一种集成电路，包括：半导体衬底；穿通硅通孔，所述穿通硅通孔被配置为形成在所述半导体衬底中以从所述半导体衬底的表面延伸至特定深度；输出焊盘；以及电流路径提供单元，所述电流路径提供单元被配置为在测试模式期间将在所述半导体衬底与所述穿通硅通孔之间流动的电流提供至所述输出焊盘。
专利地区：韩国
关于上述专利公告申明 : 上述专利公告转载自国家知识产权局网站专利公告栏目，不代表该专利由我公司代理取得，上述专利权利属于专利权人，未经（专利权人）许可，擅自商用是侵权行为。如您希望使用该专利，请搜索专利权人联系方式，获得专利权人的授权许可。