半导体封装及其形成方法专利登记公告

专利名称：半导体封装及其形成方法

摘要：本发明公开了半导体封装及其形成方法。该半导体封装包括封装盖，该封装盖能够辐射高温并起到防止电磁波传输到半导体封装中和/或从半导体封装传输到外面的屏蔽功能。包括封装盖的半导体封装防止了芯片故障并改善了器件可靠性。封装盖设置为覆盖半导体封装的第一和第二半导体芯片。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110365144.3

专利申请（专利权）人：三星电子株式会社

专利发明（设计）人：任允赫;李忠善;赵泰济

主权项：一种半导体封装，包括：封装基板，包括邻近所述封装基板的边缘的通孔；第一半导体芯片，堆叠在所述封装基板上；至少一个第二半导体芯片，堆叠在所述第一半导体芯片上并具有比所述第一半导体芯片的宽度窄的宽度；模塑膜，覆盖所述第一半导体芯片的上表面的邻近所述第二半导体芯片的侧表面的一部分，并覆盖所述第二半导体芯片的所述侧表面；热界面膜，设置在所述第二半导体芯片上；封装盖，与所述热界面膜接触并覆盖所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片；以及封装粘合图案，在所述通孔与所述封装盖的一部分之间。

专利地区：韩国